Regression analysis of parameters of single-crystal silicon and thin-film amorphous photoconverters

Authors

  • Николай Иванович Слипченко Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники, Ukraine
  • Виктор Александрович Письменецкий Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники, Ukraine
  • Андрей Витальевич Фролов Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники, Ukraine
  • Николай Викторович Герасименко Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3304

Keywords:

amorphous, monocrystalline, silicon, solar element, phototransformation

Abstract

In work results of the researches executed, at the Kharkov national university of radio electronics, connected with working out and application statistical regreshional models with reference to silicon single-crystal PVC with structure n +-p-p +, and also to amorphous PVC.

Author Biographies

Николай Иванович Слипченко, Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Доктор физико-математических наук, профессор, проректор по научной работе

Виктор Александрович Письменецкий, Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Кандидат технических наук, профессор

Андрей Витальевич Фролов, Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Кандидат технических наук, старший научный сотрудник

Николай Викторович Герасименко, Кафедра микроэлектронных приборов и устройств Харьковский национальный университет радиоэлектроники

Аспирант

References

  1. Слипченко Н.И. Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей./ Слипченко Н.И., Письменецкий В.А., Фролов А.В., Яновская Н.Н. // Известия вузов. Радиоэлектроника, НТУУ «КПИ», 2008, том 51, № 11. С. 41-49.
  2. Патент на винахід № 86167 від 25.03.2009 р. Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів. Сліпченко М.І., Письменецький В.О., Кирилюк А.А., Яновська Н.М., Фролов А.В. Бюл. № 1, 2009 р.
  3. Бойко Б.Т. Дослідження плівкових сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au./ Бойко Б.Т., Хрипунов Г.С., Меріуц А.В., Черних Е.П. // Фізика і хімія твердого тіла, Т.6, № 2 (2005) с.295-298.
  4. Биков М.А. Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре α - Si : H / c – Si./Быков М.А., Быков А.М., Зуев С.А., Мазинов А.С., Слипченко Н.И., Унжаков Д.А. //Прикладная радиоэлектроника, 2008, Том 7, №1.
  5. Голикова О.А. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. / Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М. // Физика и техника полупроводников, 1997, Том 31, № 7, с. 816-819.

Published

2010-11-10

How to Cite

Слипченко, Н. И., Письменецкий, В. А., Фролов, А. В., & Герасименко, Н. В. (2010). Regression analysis of parameters of single-crystal silicon and thin-film amorphous photoconverters. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(48), 4–7. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3304