INFLUENCE CRYOANNEALING ON NQR SPECTRAS AND CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE PHOTODIODES ON THE BASIS OF GaSe-InSe

Authors

  • Галина Ивановна Ластивка Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Ukraine
  • Олег Николаевич Сидор Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Ukraine
  • Захар Дмитриевич Ковалюк Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Ukraine
  • Александр Григорьевич Хандожко Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978

Keywords:

layered crystals, polytypes, NQR spectres, structural defects, annealing crystals, heterostructure photodiode

Abstract

The influence of temperature annealing on NQR spectras of layered semiconductor connections GaSe and InSe as a part of the heterostructure photodiodes made on a method «direct optical contact» was investigated. The degree of crystal’s deficiency was estimated on quality multiplicaties spectres NQR of isotopes 69Ga and 115In, displaying, as a matter of fact, the ordering in system polytypes.

Author Biographies

Галина Ивановна Ластивка, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Ассистент

Олег Николаевич Сидор, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Кандидат физико-математических наук, профессор, научный сотрудник

Захар Дмитриевич Ковалюк, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Доктор физико-математических наук, профессор, руководитель

Александр Григорьевич Хандожко, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Доктор физико-математических наук, профессор

References

  1. Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A. Photoconductivity and photovoltaic effect in indium selenide // J. Appl. Phys. – 1983. – Vol.54, No.2. – P.876-888.
  2. Кязым-заде А.Г., Агаева А.А., Салманов В.М., Мохтари А.Г. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe //ЖТФ. – 2007. – Т.77, №12. – С.80-82.
  3. Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p–n-InSe // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т.33, №18. – С.14-22.
  4. А.с. 631014 СССР, МКИ3 Н 01L 21/46. Способ изготовления p–n и гетероперходов / Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. (СССР). – №2367947; Заявлено 02.06.1976; Опубл. 15.05.1982, Бюл. № 18.
  5. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Тагаев В.Г., Чишко В.Ф. Исследование гетеропереходов InSe–GaSe, приготовленных посадкой на оптический контакт. I. Электрические характеристики неосвещенных переходов // ФТП. – 1980. – Т.14, №6. – С.1115-1119.
  6. Blasi C., Manno D., Mongelli S. The stacking of polytypes in InSe crystals // Phys. stat. sol. (a). – 1985. – Vol.90, No.1. – K5-K6.
  7. Z.S. Basinski, D.B. Dove, and E. Mooser. Relationship between structures and dislocation in GaS and GaSe. Helv. Phys. Acta. 34 (1961) 373-378.
  8. Гречишкин В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах.-М.: Наука, 1973. - 263 с.
  9. Bastow T.J., Cambell I.D., Whitfeld H.J. A 69Ga, 115In NQR study of polytypes of GaS, GaSe and InSe //Sol. St. Com. V. 39, 307–311 (1981).
  10. О.Г. Хандожко, Г.І. Ластівка, З.Д. Ковалюк. ЯМР і ЯКР в інтеркальованій сполуці GaSe:Li// Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. м. Одеса. Вип. 4. 2008р. - С. 41-47.
  11. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы.-М.: Высшая школа, 1989.- 288 с.
  12. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, О .С. Литвин Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2, 180-193.
  13. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. – М.: Советское радио, 1979. – 230 с.
  14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
  15. B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurtcu J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, 32, No 22, P. 2942. B.Gurbulak. Solid State Communication. 1999, 109, P. 665.
  16. Мозоль П.Е., Скубенко Н.А., Скубенко П.А., Гнатенко Ю.П., Сальков Е.А., Ковалюк З.Д. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия // ФТП. – 1988. – Т.22, №9. – С.1595-1600.
  17. Ю. П. Гнатенко, Ю.І. Жирко Механізми температурного росту інтегральної інтенсивності екситонної смуги поглинання шаруватих кристалів InSe. УФЖ. –1999. Т.44, №1. – С.487-492.
  18. Бродин М.С., Блонский И.Б. Экситонные процессы в слоистых кристаллах. Киев: Наукова думка, 256 (1986).
  19. S.SHIGEToMI, T.IKARI, Y.KOGA, and S.SHIGEToMI. Annealing Behavior of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals // phys. stat. sol. (a) 86, K69-K71 (1984)
  20. Martinez-Pastor J., Segura A., Julien C., Chevy A. Investigation of shallow donor impurities in indium selenide by means of far infrered spectroscopy // Phys. Rev. B. – 1992. – Vol.46, No.8. – P.4607-4616.
  21. Martinez-Pastor J., Segura A., Chevy A. High temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in not purposely doped and tin doped indium selenide // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol.74, No.5. – P.3231-3237.
  22. Houdy P, Maurice J.L., Besson J.M., Lava J.Y., Chevy A., Gorochov. Two-dimensional defects in InSe // J. Appl. Phys. – 1987. – Vol.61, No.12. – P.5267-5271.
  23. Kuroda N., Nishina Y. Interlationship between bond ionicity and lattice instability of III-VI layer compounds // J. Phys. Soc. Jap. - 1981. - 50, № 9. - P. 2969-2977.
  24. S. Shigetomi, T. Ikari, and N. Nishmura Annealing Behavior of Layered Semiconductor p-GaSе Single Crystal phys. stat. sol. (a) 185, No. 2, 341 -348 (2001).

Downloads

Published

2010-07-30

How to Cite

Ластивка, Г. И., Сидор, О. Н., Ковалюк, З. Д., & Хандожко, А. Г. (2010). INFLUENCE CRYOANNEALING ON NQR SPECTRAS AND CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE PHOTODIODES ON THE BASIS OF GaSe-InSe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(46), 28–34. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978

Issue

Vol. 4 No. 5(46) (2010): Technology of organic and inorganic substances and ecology. The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Галина Ивановна Ластивка, Олег Николаевич Сидор, Захар Дмитриевич Ковалюк, Александр Григорьевич Хандожко

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.