Ellipsometry in submicronic technology of formation of GIC structures

Authors

  • Степан Петрович Новосядлий Кафедри радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. В. Стефаника м. Івано-Франківськ, Ukraine
  • Володимир Михайлович Вівчарук Кафедри радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. В. Стефаника м. Івано-Франківськ, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2856

Keywords:

ellipsometry, silicon, submicron technology, testing methods, lithography

Abstract

Describes a physical and mathematical principles of ellipsometry, nature of its use to determine the optical constants, monitoring and study the properties and processes for functional layers in the formation of submicron structures of large integrated circuits.

Author Biographies

Степан Петрович Новосядлий, Кафедри радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. В. Стефаника м. Івано-Франківськ

Доктор технічних наук, професор

Володимир Михайлович Вівчарук, Кафедри радіофізики і електроніки Прикарпатського національного університету ім. В. Стефаника м. Івано-Франківськ

Аспірант

References

  1. Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем. – Івано-Франківськ, Сімик – 2003, 350с.
  2. Аззак Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризационный свет. Пер. с англ. под ред. А.В.Ржанова, К.К.Свиташева. – М.: Мир. – 1981. – 583 с.
  3. D. Aspnes. Studies of sarfase, thin film and interface properties by automatic spectroscopic ellipsometry. – J,Vac. Sci Technol. – 1981, - v 18, №2, p.289-295.
  4. Adams J.R., Bachara N.M. SiO2 thick nesses determination by reflection ellipsometry: substrate effects. – Surf Sci 1985. v 47. – p. 655-660.
  5. Aspnes D.E., Theeten J.B. Spectroscopic analysis of the interface between Si and its thermally grown oxide. – J, Electronics Soc, - 1980, vol 127, №6, p.1359-1361.
  6. Dinges H.W. An ellipsometrie study SiO2-Si3N4 double lagers on silicon produced by chemical vapour deposition. – Thin Solid Films – 1981, - vol 78, p.63-66.
  7. Лонский Э.С. Основное уравнение эллипсометрии для тестовых дифракционных решеток, применяемых при контроле структур БИС. – Микроэлектроника, 1987. т.10, вып.6, с.537-542.
  8. Motooka T., Watanabe K. Damage profile determination of ionimplanted Si layers by ellipsometry. – J. Appl Phys. – 1980, v.51, №8. – p. 4125-4129.
  9. А.С. Мардемов, В.Г. Серяпин. Определение комплекного показателя преломления в ионвнедренных слоях из эллипсометрических измерений // Физика и техника полупроводников. – 1989. – ТВ, №12., с.2347-2353.
  10. J.B. Theeten, D.E. Aspnes, Simonfut F., Erman. M. Non-destructure analysis of Si3N4/SiO2/Si structures using spectroscopic ellipsometry. – J. Appl Phys. – 1981, v.52(II). – p. 6788-6797.
  11. Novosyadly S. Amplitude-phase-shift masks for protection litography of submicron technology. Procudings of the VII-th International Conference CADSM 2003. – Lviv-Slavske, Ukraine., p.66-68.
  12. Позитивне рішення експертизи винаходів по мікроелектроніці. №94061566 від 9.03.93 Спосіб виготовлення напівпровідникових приладів / Новосядлий С.П., Біровий О.Л., Гутак І.М., Масовий Н.П. / №13551 від 13.06.94, №8 від 29.12.94.
  13. Новосядлий С.П. Висококонтрастний фоторезист для субмікронної технології ВІС// Фотоелектроніка – 2000 - №9. – с.37-42.
  14. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС// Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. - №3. – с.30-38.
  15. Новосядлий С.П. Технологічний САПР на основі ТС// Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т.3, №1., с.179-189.

Downloads

Published

2010-05-28

How to Cite

Новосядлий, С. П., & Вівчарук, В. М. (2010). Ellipsometry in submicronic technology of formation of GIC structures. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(7(45), 8–17. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2856

Issue

Vol. 3 No. 7(45) (2010): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Володимир Михайлович Вівчарук

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.