Influence of the sizes of crystals on edge radiation in unalloyed gallium arsenide

Authors

  • Александр Дмитриевич Штанько Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022, Ukraine
  • Марина Борисовна Литвинова Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1783

Keywords:

Gallium arsenide, single-crystal, edge band, mechanical stress

Abstract

The sizes of surface of the samples, which were cut out from undoped GaAs crystals with surplus of gallium and with surplus of arsenic, when influence of mechanical stress on energy position of the maximum of the edge radiation  band at 77 K can be neglected are determined

Author Biographies

Александр Дмитриевич Штанько, Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022

Кандидат физико-математических наук

Кафедра автоматизации и электрооборудования

Марина Борисовна Литвинова, Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022

Кандидат физико-математических наук, доцент

Кафедра физико-математических дисциплин

References

  1. Глинчук К.Д. Определение концентрации легкоионизируемых примесей в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77К) фотолюминесценции [Текст] / Литовченко Н.М., Прохорович А.В. и др. //Оптоэлектр. и полупров. техн., - 1997.- Т.32. – С. 61-71.
  2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 261 (1973).
  3. Мильвидский М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников [Текст] / В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, 392 (1984).
  4. Глинчук К.Д. О роли изолированных и связанных дефектов в определении спектра близкраевой люминесценции твёрдых тел [Текст] / Прохорович А.В. //ФТП. - 2004. – Т.46, №6. – С.1008 - 1012.
  5. Литвинова М.Б. Роль режима охлаждения при термообработке монокристаллов полуизолирующего GaAs [Текст] / С.В. Шутов, О.Н. Лебедь //Физика и химия обработки материалов. - 2002. - № 2. – С. 73-77.
  6. Задорожный Н.С. Влияние концентрационной неоднородности на внутренние напряжения в монокристаллах арсенида галлия [Текст] / В.Ф. Коваленко, М.Г. Мильвидский, А.В. Прохорович // Неорганические материалы. - 1991. – Т.27, №6. – С.1127 - 1130.
  7. Коваленко В.Ф Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия [Текст] / М.Б. Литвинова, В.А. Краснов //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С.198 - 204.
  8. Инденбом В.Л. Измерения напряжений в плоских спаях кремния с металлами. [Текст] / Никитенко В.И., Милевский Л.С. // В сб. Напряжения и дислокации в полупроводниках. Под ред. М.В. Классен-Неклюдовой, М: Из-во АН СССР. – С.55-60 (1970).

How to Cite

Штанько, А. Д., & Литвинова, М. Б. (2012). Influence of the sizes of crystals on edge radiation in unalloyed gallium arsenide. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2(5(50), 20–22. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1783